業界常用的器件材料和工藝平臺包括RF CMOS、RF SOI、GaAs、SiGe、SAW和壓電晶體等。逐漸興起的新材料工藝包括氮化鎵、MEMS等。業界各參與者正在需要尋找不同應用背景下材料、器件和工藝的最佳組合，以提高射頻前端芯片產品的性能。公司具備同時加工6英寸砷化鎵射頻晶圓、砷化鎵VCSEL晶圓和氮化鎵射頻晶圓的能力。
硅片產品涵蓋6英寸到12英寸、輕摻雜到重摻雜、N型到P型等領域；功率器件涵蓋平面、溝槽肖特基芯片、MOSFET芯片；半導體射頻涵蓋6英寸砷化鎵晶圓、砷化鎵VCSEL晶圓、氮化鎵射頻晶圓。
砷化鎵微波射頻集成電路芯片生產線採用自主研發的高集成InGaP HBT、0.15-0.5微米GaAs pHEMT和BiHEMT等射頻集成電路工藝技術。產品工藝成熟可靠，具有世界先進水平，產能規模位居國內前梯隊。
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